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DMN10H170SVT-7  与  BSL372SN H6327  区别

型号 DMN10H170SVT-7 BSL372SN H6327
唯样编号 A36-DMN10H170SVT-7 A-BSL372SN H6327
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 160mΩ@5A,10V -
漏源极电压Vds 100V -
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) 1.2W(Ta) -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 TSOT-26 PG-TSOP6-6
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 2.6A -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1167pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 9.7nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN10H170SVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.2W(Ta) 160mΩ@5A,10V -55°C~150°C(TJ) TSOT-26 N-Channel 100V 2.6A

暂无价格 0 当前型号
DMN10H170SVT-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 1.2W(Ta) ±20V TSOT-23 -55℃~150℃(TJ) 100V 2.6A(Ta)

暂无价格 0 对比
DMN10H170SVTQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.2W(Ta) ±20V TSOT-23 -55℃~150℃(TJ) 100V 2.6A(Ta) 车规

暂无价格 0 对比
DMN10H170SVTQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.2W(Ta) ±20V TSOT-23 -55℃~150℃(TJ) 100V 2.6A(Ta) 车规

暂无价格 0 对比
BSL372SN H6327 Infineon 小信号MOSFET

BSL372SNH6327XTSA1_PG-TSOP6-6 车规

暂无价格 0 对比

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